參數(shù)資料
型號(hào)： IXGN200N60A2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 553K
代理商： IXGN200N60A2
2003 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
C E - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
V
CE - V olts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
9V
7V
5V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
V
C E - V olts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
9V
7V
5V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat) on
Tem perature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J - Degrees Centigrade
V
C
E
(s
a
t)
-N
orm
al
iz
ed
IC = 100A
IC = 50A
V
GE = 15V
IC = 200A
Fig. 5. Collector-to-Em itter Voltage
vs. Gate-to-Em iiter Voltage
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
5
6789
10 11 12 13 14 15 16 17
V
G E - Volts
V
C
E
-
V
ol
ts
TJ = 25C
IC = 200A
100A
50A
Fig. 6. Input Adm ittance
0
50
100
150
200
250
300
350
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
V
G E - Volts
I C
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25C
-40C
IXGN 200N60A2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN320N60A3
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
IXSE503PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24
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參數(shù)描述
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IXGN320N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 320 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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