參數(shù)資料
型號(hào)： IXGL200N60B3
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 211K
代理商： IXGL200N60B3
2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
IXGL200N60B3
Fig. 12. Inductive Switching
Energy Loss vs. Gate Resistance
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
12
345
678
9
10
RG - Ohms
E
of
f-
M
ill
iJ
o
u
le
s
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
E
on
-
M
illiJo
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
TJ = 125C , VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
Fig. 17. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
340
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
t f
-
N
anos
ec
onds
280
300
320
340
360
380
400
420
440
460
480
500
t
d
(o
ff)
-
N
anos
ec
onds
t f
td(off) - - - -
RG = 1, VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 50A, 100A
Fig. 15. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
230
240
250
260
270
280
290
300
310
320
330
1
234
5
678
9
10
RG - Ohms
t f
-
N
anos
ec
onds
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
t
d(
of
f) -
N
a
n
ose
co
nd
s
t f
td(off) - - - -
TJ = 125C, VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
Fig. 13. Inductive Switching
Energy Loss vs. Collector Current
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
IC - Amperes
E
of
f-
M
illiJo
ul
e
s
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
E
on
-
M
illiJo
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 14. Inductive Switching
Energy Loss vs. Junction Temperature
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
TJ - Degrees Centigrade
E
of
f-
M
illiJo
u
le
s
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
E
on
-
M
ill
iJ
o
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
I C = 100A
I C = 50A
Fig. 16. Inductive Turn-off
Switching Times vs. Collector Current
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
IC - Amperes
t f
-
N
anos
ec
onds
300
320
340
360
380
400
420
440
460
480
500
t
d
(o
ff)
-
N
anos
ec
onds
t f
td(off) - - - -
RG = 1 , VGE = 15V
VCE = 300V
TJ = 125C
TJ = 25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGN200N60A2
IXGN320N60A3
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
IXSE503PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGL75N250 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGM10N100A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N50 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
IXGM10N50A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE
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