參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH40N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 606K
代理商： IXGH40N60B2D1
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 40N60B2
IXGT 40N60B2
Fig. 14. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
10
2030
405060
7080
90
100
Q
G - nanoCoulombs
V
G
E
-
V
ol
ts
VCE = 300V
IC = 30A
IG = 10mA
Fig. 15. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
C E - V olts
C
apac
itanc
e-
p
F
Cies
Coes
Cres
f = 1 MHz
Fig. 13. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on Tem perature
75
100
125
150
175
200
225
250
275
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J - Degrees Centigrade
S
w
itc
hi
ng
T
im
e-
nanos
ec
ond
t
d(off)
t
fi - - - - - -
RG = 3.3
VGE = 15V
VCE = 400V
IC = 30A
IC = 60A
IC = 15A
Fig. 16. Maxim um Transient Therm al Resistance
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(t
h
)J
C
-
(
C
/W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGL200N60B3 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
IXGN200N60A2
IXGN320N60A3
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH40N60C 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH41N60 功能描述:IGBT 晶體管 76 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH42N30C3 功能描述:IGBT 晶體管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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