參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH40N60B2D1
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 606K
代理商： IXGH40N60B2D1
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 40N60B2D1
IXGT 40N60B2D1
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
30
60
90
120
150
180
210
01
23
45
67
V
C E - V olts
I C
-
A
m
pe
re
s
VGE = 15V
13V
5V
7V
9V
11V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
CE - V olts
I C
-
A
m
pe
re
s
VGE = 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
0.5
1
1.522.5
3
V
C E - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat) on
Tem perature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J - Degrees Centigrade
V
C
E
(
s
a
t)
-N
orm
al
iz
ed
IC = 30A
IC = 15A
V
GE = 15V
IC = 60A
Fig. 5. Collector-to-Em itter Voltage
vs. Gate-to-Em itter voltage
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
6789
10 11 12 13 14 15 16 17
V
G E - V olts
V
C
E
-
V
ol
ts
TJ = 25C
IC = 60A
30A
15A
Fig. 6. Input Adm ittance
0
30
60
90
120
150
180
3
456
789
10
V
G E - V olts
I C
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25C
-40C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGL200N60B3 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
IXGN200N60A2
IXGN320N60A3
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH40N60C 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH41N60 功能描述:IGBT 晶體管 76 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH42N30C3 功能描述:IGBT 晶體管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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