參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH40N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 606K
代理商： IXGH40N60B2D1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 40N60B2D1
IXGT 40N60B2D1
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
Fig. 7. Transconductance
0
10
20
30
40
50
60
0
30
60
90
120
150
180
I
C - A mperes
g
fs
-
S
iem
ens
TJ = -40C
25C
125C
Fig. 8. Dependence of Turn-Off
Energy on R
G
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
6
9
1215
18
212427
30
R
G - Ohms
E
o
ff
-m
illiJ
ou
les
IC = 15A
TJ = 125C
VGE = 15V
VCE = 400V
IC = 30A
IC = 60A
Fig. 9. Dependence of Turn-Off
Energy on I
c
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
C - A mperes
E
of
f
-
M
illiJ
ou
le
s
RG = 3.3
VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 125C
TJ = 25C
Fig. 10. Dependence of Turn-Off
Energy on Tem perature
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J - Degrees Centigrade
E
of
f
-
m
illiJ
ou
le
s
IC = 60A
RG = 3.3
VGE = 15V
VCE = 400V
IC = 30A
IC = 15A
Fig. 11. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on R
G
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
3
6
9
12
15
18
21242730
R
G - Ohms
S
w
itc
hi
ng
T
im
e-
nanos
ec
ond
IC = 30A
t
d(off)
t
fi - - - - - -
TJ = 125C
VGE = 15V
VCE = 400V
IC = 15A
IC = 60A
Fig. 12. Dependence of Turn-Off
Sw itching Tim e on I
c
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I
C - Amperes
S
w
itc
hi
ng
T
im
e-
nanos
ec
ond
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
RG = 3.3
VGE = 15V
VCE = 400V
TJ = 125C
TJ = 25C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGL200N60B3 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
IXGN200N60A2
IXGN320N60A3
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH40N60C 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH40N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH41N60 功能描述:IGBT 晶體管 76 Amps 600V 1.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH42N30C3 功能描述:IGBT 晶體管 42 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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