參數(shù)資料
型號: IXGH32N90B2
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
中文描述: 64 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/7頁
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代理商: IXGH32N90B2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
Fig. 7. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
I C - Amperes
g
f
s-
S
iem
ens
TJ = -40C
25
C
125
C
Fig. 8. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
10
20
304050
607080
90
100
Q G - nanoCoulombs
V
G
E
-
V
o
lts
VCE = 450V
I C = 32A
I G = 10mA
Fig. 9. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VC E - Volts
Capa
c
itanc
e
-
p
F
Cies
Coes
Cres
f = 1 MHz
Fig. 10. Reverse-Bias Safe
Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
100
200
300
400
500
600
700
800
900
VC E - Volts
I
C
-
A
m
per
es
TJ = 125C
RG =10Ω
dV/dT < 10V/ns
Fig. 11. Maxim um Transient Therm al Resistance
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(t
h)
J
C
-
C
/
W
相關PDF資料
PDF描述
IXGH40N120A2
IXGH40N60B2D1
IXGL200N60B3 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
IXGN200N60A2
IXGN320N60A3
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGH34N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 34 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH35N120 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Lightspeed Series
IXGH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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