參數(shù)資料
型號： IXGH32N90B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 64 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： IXGH32N90B2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 32N90B2
IXGT 32N90B2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ. max.
g
fs
I
C
= I
C110 A; VCE = 10 V,
18
28
S
Pulse test, t
≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %
C
ies
1790
pF
C
oes
V
CE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
121
pF
C
res
49
pF
Q
g
89
nC
Q
ge
I
C = IC110 , VGE = 15 V, VCE = 0.5 VCES
15
nC
Q
gc
34
nC
t
d(on)
20
n s
t
ri
22
n s
t
d(off)
260
400
n s
t
fi
150
n s
E
off
2.6
4.5 mJ
t
d(on)
20
n s
t
ri
22
n s
E
on
0.5
mJ
Note 1
3.8
mJ
t
d(off)
360
n s
t
fi
330
n s
E
off
5.75
mJ
R
thJC
0.42 K/W
R
thCS
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J = 25°
°°°°C
I
C = IC110 , VGE = 15 V
V
CE = 720 V, RG = Roff = 5 Ω
Inductive load, T
J = 125°
°°°°C
I
C = IC110 A, VGE = 15 V
V
CE = 720 V, RG = Roff = 5 Ω
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min.
Max.
Min.
Max.
A
4.7
5.3
.185
.209
A
1
2.2
2.54
.087
.102
A
2
2.2
2.6
.059
.098
b
1.0
1.4
.040
.055
b
1
1.65
2.13
.065
.084
b
2
2.87
3.12
.113
.123
C
.4
.8
.016
.031
D
20.80
21.46
.819
.845
E
15.75
16.26
.610
.640
e
5.20
5.72
0.205 0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
L1
4.50
.177
P
3.55
3.65
.140
.144
Q
5.89
6.40
0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170
.216
S
6.15 BSC
242 BSC
e
P
TO-268 Outline
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
Note 1: E
on measured with a DSEP 30-12A ultrafast diode clamp.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065B1
6,683,344
6,727,585
one or more of the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123B1
6,534,343
6,710,405B2
6,759,692
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6771478B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH40N120A2
IXGH40N60B2D1
IXGL200N60B3 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
IXGN200N60A2
IXGN320N60A3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH32N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 900V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH34N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 34 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH35N120 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT Lightspeed Series
IXGH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH35N120C 功能描述:IGBT 70A 1200V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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