參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA7N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： TO-263AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： IXGA7N60B
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXGA 7N60B
IXGP 7N60B
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
3
7
S
C
ies
C
oes
C
res
500
50
17
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
25
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
5
10
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
9
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
10
0.07
100
150
0.3
200
250
0.6
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
10
15
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.07
200
250
0.6
R
thJC
R
thCK
2.3 K/W
K/W
(TO-220)
0.25
Inductive load, T
J
= 25°C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 300 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 22
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 300 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 22
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA7N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH6N170A High Voltage IGBT
IXGT6N170A High Voltage IGBT
IXGP12N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
IXGR32N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列，VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA7N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA7N60C 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA7N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA8N100 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 1000V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA90N33TC 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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