參數(shù)資料
型號： IXFC52N30P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET
中文描述： 24 A, 300 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： IXFC52N30P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXFC 52N30P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
20
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
3490
550
130
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
24
22
60
20
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 4
(External)
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
110
25
53
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
1.25
K/W
0.21 K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
32
A
I
SM
Repetitive
150
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
T
rr
I
= 25A
-di/dt = 100 A/
μ
s
V
R
= 100V
Q
RM
250
1.0
ns
μ
C
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
one or moreof the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
ISOPLUS220 Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFC80N10 HiPerFETTM MOSFET ISOPLUS220
IXFE44N60 Aluminum Electrolytic Capacitor; Capacitor Type:Motor Start/Motor Run; Voltage Rating:250VDC; Capacitor Dielectric Material:Aluminum Electrolytic; Operating Temperature Range:-40 C to ? C; Capacitance:2900uF RoHS Compliant: Yes
IXFE80N50 HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFF24N100 HiPerFETTM Power Mosfet in High Voltage ISOPLUS I4-PACTM
IXFH10N100 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFC52N30P_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXFC60N20 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC74N20P 功能描述:MOSFET 35 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC80N08 功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFC80N085 功能描述:MOSFET 80 Amps 85V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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