參數(shù)資料
型號： IXDR30N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： IXDR30N120
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
IXDR 30N120 D1
IXDR 30N120
0
200
400
600
800
A/
m
s
1000
0
20
40
60
0
100
200
300
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
70
A
80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
40
50
A
60
0
20
40
60
80
100 120 140
Q
G
0
5
10
15
20
V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
10
20
30
40
50
A
60
13V
11V
T
J
= 25
°
C
V
GE
=17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 25A
15V
5
6
7
8
9
10
11
0
10
20
30
40
50
A
60
13V
11V
V
GE
=17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 25
°
C
9V
9V
V
CE
V
I
C
V
CE
I
C
V
V
V
V
GE
V
F
I
C
I
F
nC
-di/dt
V
GE
A
I
RM
t
rr
ns
IXDH/..R30N120
T
J
= 125
°
C
V
R
= 600V
I
F
= 30A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
RM
t
rr
Fig. 1
Typ. output characteristics
Fig. 2
Typ. output characteristics
Fig. 3
Typ. transfer characteristics
Fig. 4
Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
Fig. 5
Typ. turn on gate charge
Fig. 6
Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
相關PDF資料
PDF描述
IXDR30N120D1 High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
IXEN60N120 NPT IGBT
IXEN60N120D1 NPT IGBT
IXER35N120D1 NPT3 IGBT with Diode
IXER60N120 NPT3 IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXDR30N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDR35N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDR502D1B 功能描述:功率驅動器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS430 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS430SI 功能描述:功率驅動器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*