參數(shù)資料
型號(hào)： IXDR30N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： IXDR30N120
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
1650
250
110
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
120
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
100
70
500
70
4.6
3.4
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
R
thJC
R
thCH
0.6 K/W
Package with heatsink compound
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 30 A, V
= ±15 V,
V
CE
= 600 V, R
G
= 47
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
2.5
2.0
2.7
V
V
I
F
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
50
27
A
A
I
RM
t
rr
I
F
= 30 A, -di
F
/dt = 400 A/μs, V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
20
A
200
ns
t
rr
I
F
= 1 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
40
ns
R
thJC
1.3 K/W
!
"
"
#
$
!
%
&
!
'( )**+
!*,)+
***
IXDR 30N120 D1
IXDR 30N120
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDR30N120D1 High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
IXEN60N120 NPT IGBT
IXEN60N120D1 NPT IGBT
IXER35N120D1 NPT3 IGBT with Diode
IXER60N120 NPT3 IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDR30N120D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDR35N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDR502D1B 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS430 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS430SI 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*