參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LPD51236A-200TQ
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 27/29頁(yè)
文件大小： 552K
代理商： IS61LPD51236A-200TQ
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
7
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
PIN CONFIGURATION
1024K x 18
PIN DESCRIPTIONS
A0,A1
SynchronousAddressInputs.These
pinsmusttiedtothetwoLSBsofthe
address bus.
A
Synchronous Address Inputs
ADSC
Synchronous Controller Address Status
ADSP
SynchronousProcessorAddressStatus
ADV
SynchronousBurstAddressAdvance
BWa
-BWb
SynchronousByteWriteEnable
BWE
SynchronousByteWriteEnable
CE
,CE2,CE2 SynchronousChipEnable
CLK
Synchronous Clock
DQa-DQb
SynchronousDataInput/Output
DQPa-DQPb
ParityDataI/O;DQPaisparityfor
DQa1-8;DQPbisparityforDQb1-8
GW
SynchronousGlobalWriteEnable
MODE
BurstSequenceModeSelection
OE
OutputEnable
Vdd
3.3V/2.5VPowerSupply
Vddq
IsolatedOutputBufferSupply:
3.3V/2.5V
Vss
Ground
ZZ
SnoozeEnable
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQPa
DQa
VSS
VDDQ
DQa
VSS
NC
VDD
ZZ
DQa
VDDQ
VSS
DQa
NC
VSS
VDDQ
NC
A
CE
CE2
NC
BWb
BWa
CE2
VDD
VSS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
NC
VDDQ
VSS
NC
DQb
VSS
VDDQ
DQb
NC
VDD
NC
VSS
DQb
VDDQ
VSS
DQb
DQPb
NC
VSS
VDDQ
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A
A1
A0
NC
VSS
VDD
A
46 47 48 49 50
100-PIN TQFP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LPD51236A-200TQI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-200TQLI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3I 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250TQ 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS61LPD51236A-200TQI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-250B3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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