參數(shù)資料
型號(hào): IS61LPD51236A-200TQ
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: SRAM
英文描述: 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述: 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100
封裝: TQFP-100
文件頁(yè)數(shù): 15/29頁(yè)
文件大?。?/td> 552K
代理商: IS61LPD51236A-200TQ
22
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
TaP Electrical Characteristics OvertheOperatingRange(1,2)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Units
VOh1
OutputHIGHVoltage
IOh=–2.0mA
1.7
V
VOh2
OutputHIGHVoltage
IOh=–100A
2.1
V
VOl1
OutputLOWVoltage
IOl=2.0mA
0.7
V
VOl2
OutputLOWVoltage
IOl=100A
0.2
V
VIh
InputHIGHVoltage
1.7
Vdd+0.3V
VIl
InputLOWVoltage
–0.3
0.7
V
Ix
Input Load Current
Vss≤VI≤Vddq
–5
5
mA
Notes:
1. AllVoltagereferencedtoGround.
2. Overshoot:VIh (AC) ≤Vdd+1.5Vfort
tTcyc/2,
Undershoot:VIl (AC)
0.5VforttTcyc/2,
Power-up:VIh<2.6VandVdd<2.4VandVddq<1.4Vfort<200ms.
TaP aC ElECTRICal CHaRaCTERISTICS(1,2) (OVER OPERaTING RaNGE)
Symbol Parameter
Min.
Max.
Unit
tTcyc
TCKClockcycletime
100
ns
fTf
TCKClockfrequency
10
MHz
tTh
TCKClockHIGH
40—
ns
tTl
TCKClockLOW
40
ns
tTMss
TMSsetuptoTCKClockRise
10
ns
tTdIs
TDIsetuptoTCKClockRise
10
ns
tcs
CapturesetuptoTCKRise
10
ns
tTMsh
TMSholdafterTCKClockRise
10
ns
tTdIh
TDIHoldafterClockRise
10
ns
tch
Capture hold after Clock Rise
10
ns
tTdOV
TCKLOWtoTDOvalid
20
ns
tTdOx
TCKLOWtoTDOinvalid
0
ns
Notes:
1. Both tcs and tch refer to the set-up and hold time latching data requirements from the boundary scan register.
2. Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. tr/tf = 1 ns.
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PDF描述
IS61LPD51236A-200TQI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-200TQLI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3I 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS61LPD51236A-200TQI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-250B3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray