參數(shù)資料
型號： IS61LPD51236A-200TQ
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 2/29頁
文件大?。?/td> 552K
代理商： IS61LPD51236A-200TQ
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
INTERlEaVED BURST aDDRESS TaBlE (MODE = VDD or No Connect)
External address
1st Burst address
2nd Burst address
3rd Burst address
a1 a0
00
01
10
11
01
00
11
10
11
00
01
11
10
01
00
lINEaR BURST aDDRESS TaBlE (MODE = VSS)
0,0
1,0
0,1
A1', A0' = 1,1
aBSOlUTE MaXIMUM RaTINGS(1)
Symbol Parameter
Value
Unit
TsTg
StorageTemperature
–55to+150
°C
Pd
PowerDissipation
1.6
W
IOuT
OutputCurrent(perI/O)
100
mA
VIN, VOuT VoltageRelativetoVssforI/OPins
–0.5toVddq + 0.5
V
VIN
VoltageRelativetoVssfor
–0.5toVdd + 0.5
V
for Address and Control Inputs
Vdd
VoltageonVddSupplyRelativetoVss
–0.5to4.6
V
Notes:
1.StressgreaterthanthoselistedunderABSOLUTEMAXIMUMRATINGSmaycauseperma-
nentdamagetothedevice.Thisisastressratingonlyandfunctionaloperationofthedevice
at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this
specificationisnotimplied.Exposuretoabsolutemaximumratingconditionsforextended
periods may affect reliability.
2.Thisdevicecontainscircuitytoprotecttheinputsagainstdamageduetohighstaticvoltages
orelectricfields;however,precautionsmaybetakentoavoidapplicationofanyvoltage
higherthanmaximumratedvoltagestothishigh-impedancecircuit.
3.ThisdevicecontainscircuitrythatwillensuretheoutputdevicesareinHigh-Zatpowerup.
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PDF描述
IS61LPD51236A-200TQI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-200TQLI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3I 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250TQ 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS61LPD51236A-200TQI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-250B3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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