參數(shù)資料
型號(hào)： IS61LPD51236A-200TQ
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 25/29頁
文件大小： 552K
代理商： IS61LPD51236A-200TQ
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-47745
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
Note: * A0 and A1arethetwoleastsignificantbits(LSB)oftheaddressfieldandsettheinternalburstcounterifburstisdesired.
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
1M x 18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
SynchronousBurstAddressInputs
ADV
SynchronousBurstAddress
Advance
ADSP
AddressStatusProcessor
ADSC
Address Status Controller
GW
GlobalWriteEnable
CLK
Synchronous Clock
CE
Synchronous Chip Select
CE2
Synchronous Chip Select
CE2
SynchronousChipSelect
BW
x(x=a,b)
SynchronousByteWrite
Controls
Symbol
Pin Name
BWE
ByteWriteEnable
OE
OutputEnable
ZZ
PowerSleepMode
MODE
BurstSequenceSelection
TCK,TDO
JTAGPins
TMS,TDI
NC
No Connect
DQa-DQb
DataInputs/Outputs
DQPa-Pb
DataInputs/Outputs
Vdd
PowerSupply
Vddq
OutputPowerSupply
Vss
Ground
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
a
NC
A
CE
BWb
NC
CE2
BWE
ADSC
ADV
A
B
NC
A
CE2
NC
BWa
CLK
GW
OE
ADSP
A
NC
C
NC
Vddq
Vss
Vddq
Nc
DQPa
D
NC
DQb
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
NC
DQa
E
NC
DQb
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
NC
DQa
F
NC
DQb
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
NC
DQa
G
NC
DQb
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
NC
DQa
H
NC
Vss
NC
Vdd
Vss
Vdd
Nc
ZZ
J
DQb
NC
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
Nc
K
DQb
NC
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
Nc
l
DQb
NC
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
Nc
M
DQb
NC
Vddq
Vdd
Vss
Vdd
Vddq
dqa
Nc
N
DQPb
NC
Vddq
Vss
NC
A
Vss
Vddq
NC
P
NC
A
TDI
A1*
TDO
A
R
MODE
NC
A
TMS
A0*
TCK
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS61LPD51236A-200TQI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-200TQLI 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250B3I 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPD51236A-250TQ 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
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參數(shù)描述
IS61LPD51236A-200TQI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-200TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M (512Kx36) 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
IS61LPD51236A-250B3 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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