參數(shù)資料
型號： IRS21271PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (44); Status:   Remarks:  
中文描述： 電流傳感單通道驅動
文件頁數(shù)： 13/21頁
文件大?。?/td> 372K
代理商： IRS21271PBF
www.irf.com
13
IRS212(7, 71, 8, 81)(S)PbF
Max
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
O
f
s
e
t
a
g
r
e
μ
Figure
18
A. Offset Supply Leakage
Current vs. Temperature
Max
0
10
20
30
40
50
60
0
100
200
300
400
500
600
Supply Voltage (V)
V
B
Figure
18
B. High-Side Floating Well Offset
Supply Leakage vs. Voltage
Typ
Max
0
100
200
300
400
500
600
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (°C)
V
B
Figure
19
A. V
BS
Supply Current vs.
Temperature
Typ
Max
0
100
200
300
400
500
600
700
10
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14
16
18
20
Supply Voltage (V)
V
B
Figure
19
B. V
BS
Supply Current vs. Voltage
相關PDF資料
PDF描述
IRS21271SPbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
IRS2127PbF CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
IRS2127SPbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
IRS21281PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
IRS21281SPbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
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參數(shù)描述
IRS21271SPBF 功能描述:功率驅動器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS21271STRPBF 功能描述:功率驅動器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS2127PBF 功能描述:功率驅動器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS2127SPBF 功能描述:功率驅動器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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