型號(hào): | IRLU8113PBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 10/11頁(yè) |
文件大小: | 270K |
代理商: | IRLU8113PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRLR8721PBF | HEXFET Power MOSFET |
IRLU8721PbF | Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:   |
IRLR9343PBF | DIGITAL AUDIO MOSFET |
IRLU9343-701PbF | DIGITAL AUDIO MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRLU8113PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
IRLU8203 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
IRLU8203PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLU8256PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 81A 5.7mOhm 25V 10nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRLU8259PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 57A 8.7mOhm 25V 6.8nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |