參數(shù)資料
型號： IRLU8721PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 375K
代理商： IRLU8721PBF
www.irf.com
1
08/10/07
IRLR8721PbF
IRLU8721PbF
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max
30V
8.4m
Notes
through are on page 11
Applications
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
Lead-Free
Benefits
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
G
D
S
Gate
Drain
Source
D-Pak
IRLR8721PbF
I-Pak
IRLU8721PbF
Qg
8.5nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
2.3
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
°C/W
Junction-to-Ambient
Max.
30
65
46
260
65
33
± 20
W
-55 to + 175
0.43
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRLU8726PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU8729-701PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET,30V,58A,8.9 MOHM,10 NC QG,LOGIC LEVEL,I-PAK,LEADFORM - Rail/Tube
IRLU8729PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 58A 8.9mOhm 30V 10nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU8743PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU9343 功能描述:MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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