參數(shù)資料
型號： IRLU7843CPbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 309K
代理商： IRLU7843CPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
20
40
60
80
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 12A
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關PDF資料
PDF描述
IRLR8103VPBF N-Channel Application-Specific MOSFETs
IRLR8113PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU8113PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR8721PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU8721PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLU8113 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLU8113PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLU8113PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRLU8203 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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