參數(shù)資料
型號： IRGIB10B60KD1P
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 455K
代理商： IRGIB10B60KD1P
IRGIB10B60KD1P
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 150°C
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 5.0A
ICE = 10A
ICE = 20A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 5.0A
ICE = 10A
ICE = 20A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 5.0A
ICE = 10A
ICE = 20A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
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PDF描述
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