參數(shù)資料
型號(hào)： IRGIB10B60KD1P
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 455K
代理商： IRGIB10B60KD1P
IRGIB10B60KD1P
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
≤
175°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
IC
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
4
8
12
16
20
IC
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Pt
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.01
0.1
1
10
100
IC
10 μs
100 μs
1ms
DC
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PDF描述
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