參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB4065PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等離子溝道IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大小： 795K
代理商： IRGB4065PBF
www.irf.com
5
Fig 13. Typical Capacitance vs. Collector-to-Emitter Voltage
Fig 14. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Emitter Voltage
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
50
100
150
200
250
300
VCE, Collector-toEmitter-Voltage(V)
10
100
1000
10000
100000
C
Cies
Coes
Cres
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Cies = Cge + Cgd, Cce SHORTED
Cres = Cgc
Coes = Cce + Cgc
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
5
10
15
20
25
VG
IC = 25A
VCE = 240V
VCE = 200V
VCE = 150V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.0239 0.000011
0.1179 0.000047
0.3264 0.000922
0.2324 0.004889
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