參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44VZ
元件分類： JFETs
英文描述： 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRFZ44VZ
IRFZ44VZS_L
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
,
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
10203040
5060
QG Total Gate Charge (nC)
0
4
8
12
16
20
V
G
S
,
G
a
te
-t
o
-S
o
u
rc
e
V
o
lt
a
g
e
(V
)
VDS= 48V
VDS= 30V
VDS= 12V
ID= 34A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
I S
D
,
R
e
v
e
rs
e
D
ra
in
C
u
rr
e
n
t
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,
D
ra
in
-t
o
-S
o
u
rc
e
C
u
rr
e
n
t
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC20MD-S 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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IRFZ44VZLPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
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IRFZ44VZS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 57A 3PIN D2PAK - Bulk
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