型號: | IRFSL59N10D |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)最大值\u003d 0.025ohm,身份證\u003d 59A條) |
文件頁數(shù): | 11/11頁 |
文件大?。?/td> | 138K |
代理商: | IRFSL59N10D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFB61N15D | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
IRFB9N60 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
IRFB9N60A | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
IRFB9N65 | Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A) |
IRFB9N65A | Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFSL59N10DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D |
IRFSL7437PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFSL7440PBF | 功能描述:MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFSL9N60A | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFSL9N60APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |