參數(shù)資料
型號： IRFB9N65A
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d?650V時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.93ohm，身份證\u003d 8.5A）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： IRFB9N65A
HEXFET
Power MOSFET
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer
with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide
acceptance throughout the industry.
S
D
G
Parameter
Max.
9.2
5.8
37
170
1.3
± 30
290
9.2
17
5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.75
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
V
DSS
= 600V
R
DS(on)
= 0.75
I
D
= 9.2A
l
Dynamic dv/dt Rating
l
Repetitive Avalanche Rated
l
Fast Switching
l
Ease of Paraleling
l
Simple Drive Requirements
Description
10/7/98
1
TO-220AB
IRFB9N60A
PD - 91811
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA22N50 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFBA22N50A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFBA90N20 CAP 470PF 200V 20% X7R DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
IRFBA90N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A)
IRFBC20L Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB9N65APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA1404 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1404P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBA1404PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA1405 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
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