參數(shù)資料
型號: IRFSL59N10D
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)最大值\u003d 0.025ohm,身份證\u003d 59A條)
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代理商: IRFSL59N10D
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
10
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB61N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB9N60 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFB9N60A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFB9N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
IRFB9N65A Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFSL59N10DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 100V, 59A, TO-262, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRFSL7437PBF 功能描述:MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL7440PBF 功能描述:MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL9N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL9N60APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube