參數(shù)資料
型號： IRFB11N50
廠商： International Rectifier
元件分類： 繼電器，輸入/輸出模塊
英文描述： 30 AMP MINIATURE POWER RELAY
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.52ohm，身份證\u003d 11A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： IRFB11N50
IRFB11N5OA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
6.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
–––
35
–––
32
–––
28
–––
1423
–––
208
–––
8.1
–––
2000
–––
55
–––
97
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 6.6A
I
D
= 11A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 250V
I
D
= 11A
R
G
= 9.1
R
D
= 22
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 400V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
52
13
18
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
pF
Parameter
Min. Typ. Max. Units
500
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 6.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
R
DS(on)
V
GS(th)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
–––
0.52
4.0
25
250
100
-100
V
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
275
11
17
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
510
3.4
1.5
770
5.1
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
11
44
A
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.75
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB11N50A Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A)
IRFB13N50A Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A)
IRFB16N50K SMPS MOSFET
IRFB16N60L SMPS MOSFET
IRFB17N60K SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB11N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB11N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB13N50A 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB13N50APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB16N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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