參數(shù)資料
型號： IRFB17N60K
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 525K
代理商： IRFB17N60K
IRFB17N60K
11/19/02
www.irf.com
1
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
600V
R
DS(on)
typ.
0.35
I
D
17A
Parameter
Max.
17
11
68
340
2.7
± 30
11
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case )
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300
°C
10
N
Absolute Maximum Ratings
TO
-
220AB
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency
Circuits
Benefits
Smaller TO-220 Package
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Applications
Symbol
E
AS
I
AR
E
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
330
17
34
Units
mJ
A
mJ
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
Symbol
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.37
–––
58
Units
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
PD - 94578
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFB18N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB18N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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