參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB16N60L
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大小： 149K
代理商： IRFB16N60L
IRFB16N60L
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
typ.
Trr
typ.
600V
385m
Features and Benefits
!
"
TO-220AB
10/19/04
www.irf.com
1
S
D
G
Applications
#$
%$
&$
#'
I
D
16A
130ns
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
16
10
60
310
Units
I
D
@ T
C
= 25°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100°CContinuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C Power Dissipation
Linear Derating Factor
V
GS
Gate-to-Source Voltage
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
A
Pulsed Drain Current
W
2.5
±30
W/°C
V
11
V/ns
-55 to + 150
°C
300 (1.6mm from case )
1.1(10)
Nm (lbfin)
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
Conditions
MOSFET symbol
16
A
showing the
integral reverse
–––
–––
60
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 16A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 16A
T
J
= 125°C, di/dt = 100A/μs
nC T
J
= 25°C, I
S
= 16A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, di/dt = 100A/μs
A
T
J
= 25°C
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
130
240
450
1080 1620
5.8
1.5
200
360
670
V
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
RRM
t
on
Reverse Recovery Current
Forward Turn-On Time
8.7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB17N60K SMPS MOSFET
IRFB3207 HEXFET Power MOSFET
IRFS3207 HEXFET Power MOSFET
IRFSL3207 HEXFET Power MOSFET
IRFB33N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFB17N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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