參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9150
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： -25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET
中文描述： 25 A, 100 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： IRF9150
5-24
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
0.95
0.85
0.75
-40
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
40
N
B
80
120
160
1.05
1.15
I
D
= 250
μ
A
5000
1000
00
-20
-50
C
3000
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
4000
2000
C
ISS
C
OSS
C
RSS
-10
-30
-40
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
-10
-20
-30
-40
3
6
9
12
15
-50
150
o
C
25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
0
0.3
0.9
1.1
1.5
1.7
0.5
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.7
1.3
0.1
1
10
I
S
,
100
25
o
C
150
o
C
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
V
DS
= -80V
V
DS
= -50V
V
DS
= -20V
I
D
= -25A
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
IRF9150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9510 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET(3.0A, 100V, 1.200 Ω,P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRF9231 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF9232 制造商:International Rectifier 功能描述:
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