參數資料
型號： IRF7507
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=+-20V)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d - 20V的）
文件頁數： 6/8頁
文件大?。?/td> 216K
代理商： IRF7507
IRF7507
6
www.irf.com
Fig 18.
Maximum Safe Operating Area
Fig 17.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
P - Channel
Fig 20.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 19.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 21.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THSINGLE PULSE
N-P - Channel
0.1
1
10
100
1
10
100
OPERATION BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
°
°
C
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
0
100
200
300
400
500
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
G
A
-
I = -1.2A
V = -16V
DS
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 19
2
3
4
5
6
7
8
0.100
0.150
0.200
0.250
0.300
R
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
ID = -1.7A
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