型號: | IRF7507 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=+-20V) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d - 20V的) |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大小: | 216K |
代理商: | IRF7507 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF7700 | Power MOSFET(Vdss=-20V) |
IRF7701 | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
IRF7702 | Power MOSFET(Vdss=-12V) |
IRF7703 | Power MOSFET(Vdss=-40V) |
IRF7704 | Power MOSFET(Vdss=-40V) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF7507HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
IRF7507PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7507TR | 功能描述:MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
IRF7507TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
IRF7507TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |