型號(hào): | IRF7473PBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 136K |
代理商: | IRF7473PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF7473 | Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A) |
IRF7474PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
IRF7474 | HEXFET Power MOSFET |
IRF7475PBF | HEXFET Power MOSFET |
IRF7476 | Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF7473TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R |
IRF7473TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7474 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8 |
IRF7474PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8 |
IRF7474TRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |