型號(hào): | IRF7471PBF |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET㈢Power MOSFET |
中文描述: | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 3/8頁(yè) |
文件大小: | 133K |
代理商: | IRF7471PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF7471 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A) |
IRF7473PBF | HEXFET Power MOSFET |
IRF7473 | Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A) |
IRF7474PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
IRF7474 | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF7471TR | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF7471TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC - Tape and Reel |
IRF7471TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 10A 13mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF7473 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF7473 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8 |