參數(shù)資料
型號： IRF7413ZUPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFT Power MOSFET
中文描述： HEXFT功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 273K
代理商： IRF7413ZUPBF
www.irf.com
5
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
= P
+ T
1
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.8556 0.000337
2.4927 0.012752
25.570 0.691000
20.340 21.90000
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
0
2
4
6
8
10
12
14
ID
相關PDF資料
PDF描述
IRF7416QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7420PbF HEXFET Power MOSFET
IRF7421D1PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7433PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7451 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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