參數(shù)資料
型號： IRF7311
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： IRF7311
IRF7311
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
400
800
1200
1600
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
6.0A
V
= 10V
DS
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D = t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
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PDF描述
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