參數(shù)資料
型號(hào): IRF7204
廠(chǎng)商: International Rectifier
英文描述: TRI N PLUG M 0-48 NO SEAL
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d- 20V的,的Rds(on)\u003d 0.060ohm,身份證\u003d- 5.3A)
文件頁(yè)數(shù): 5/9頁(yè)
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代理商: IRF7204
IRF7204
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
25
50
TC
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-
D
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
-10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7205PBF HEXFET Power MOSFET
IRF720SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 400V , RDS(on) = 1.8ヘ , ID = 3.3A )
IRF720STRR hexfet
IRF7220 HEXFET Power MOSFET
IRF7220PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF7204TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7205 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8