參數(shù)資料
型號： IRF7204
廠商： International Rectifier
英文描述： TRI N PLUG M 0-48 NO SEAL
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 20V的，的Rds（on）\u003d 0.060ohm，身份證\u003d- 5.3A）
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： IRF7204
IRF7204
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-20
–––
––– -0.022 –––
–––
––– 0.060
–––
–––
-1.0
–––
–––
7.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
25
–––
5.0
–––
8.0
–––
14
–––
26
–––
100
–––
68
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -5.3A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -2.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -15V, I
D
= -5.3A
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125 °C
V
GS
= -12V
V
GS
= 12V
I
D
= -5.3A
V
DS
= -10V
V
GS
= -10V
V
DD
= -10V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 10
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
0.10
-2.5
–––
-25
-250
-100
100
–––
–––
–––
30
60
150
100
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
Between lead,6mm(0.25in.)
from package and center
of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
860
750
230
–––
–––
–––
pF
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.25A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.4A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
85
77
-1.2
100
120
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
–––
-15
–––
–––
-2.5
A
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
L
S
Internal Source Inductance
–––
4.0
–––
L
D
Internal Drain Inductance
–––
2.5
–––
nH
ns
nA
μA
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
I
SD
≤
-5.3A, di/dt
≤
90A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
10sec.
S
D
G
S
D
G
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PDF描述
IRF7205PBF HEXFET Power MOSFET
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IRF720STRR hexfet
IRF7220 HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF7204TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7204TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7204TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7205 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8
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