參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7205PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大小： 286K
代理商： IRF7205PBF
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF720SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 400V , RDS(on) = 1.8ヘ , ID = 3.3A )
IRF720STRR hexfet
IRF7220 HEXFET Power MOSFET
IRF7220PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7233PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7205TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC T/R
IRF7205TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7207 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7207HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC
IRF7207PBF 功能描述:MOSFET 12V -20V 1 P-CH HEXFET 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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