參數(shù)資料
型號： IRF7205PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： IRF7205PBF
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DS
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V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
!
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF720SPBF HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 400V , RDS(on) = 1.8ヘ , ID = 3.3A )
IRF720STRR hexfet
IRF7220 HEXFET Power MOSFET
IRF7220PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7233PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7207 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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