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參數(shù)資料
| 型號： | IRF6775MTRPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| 中文描述： | 數(shù)字音頻MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | IRF6775MTRPBF |
IRF6775MTRPbF
www.irf.com
7
DirectFET
Substrate and PCB Layout, MZ Outline
(
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding PCB assembly using DirectFET. This
includes all recommendations for stencil and substrate designs.
).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF6785MTRPBF | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| IRF7101PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF7103IPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7104PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7105QPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF6785MTR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 15A 100mOhm 26nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6785MTRPBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6794MPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode |
| IRF6794MTR1PBF | 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF6794MTRPBF | 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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