參數資料
型號: IRF6775MTRPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述: 數字音頻MOSFET的
文件頁數: 6/10頁
文件大?。?/td> 240K
代理商: IRF6775MTRPBF
IRF6775MTRPbF
6
www.irf.com
Fig 17a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 17b.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1
Qgs2
Qgd
Qgodr
20K
VCC
DUT
0
L
S
Fig 18.
for HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
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相關PDF資料
PDF描述
IRF6785MTRPBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRF7101PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7103IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7104PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7105QPBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF6785MTR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 15A 100mOhm 26nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6785MTRPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 100mOhms 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6794MPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
IRF6794MTR1PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6794MTRPBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube