參數(shù)資料
型號： IRF6775MTRPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述： 數(shù)字音頻MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： IRF6775MTRPBF
IRF6775MTRPbF
4
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
IS
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 100
μ
A
ID = 250
μ
A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.2801 0.000322
8.7256 0.164798
21.750 2.25760
13.251 69
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci=
τ
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
τ
A
τ
A
τ
4
τ
4
R
4
R
4
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100
μ
sec
DC
25
50
75
100
125
150
TC , CaseTemperature (°C)
0
5
10
15
20
25
30
ID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6785MTRPBF DIGITAL AUDIO MOSFET
IRF7101PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7103IPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7104PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7105QPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF6785MTR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 15A 100mOhm 26nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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