參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6662
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFet Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)
中文描述： DirectFET功率MOSFET的典型值（除非另有說(shuō)明）
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 271K
代理商： IRF6662
IRF6662
www.irf.com
5
Fig 13.
Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
EA
ID
TOP
1.6A
1.9A
BOTTOM 4.9A
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
0
2
4
6
8
10
ID
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0
1
10
100
1000
IS
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
TJ , Temperature ( °C )
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
TG
ID = 100μA
ID = 250μA
ID = 1.0mA
ID = 1.0A
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