參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6644TRPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 261K
代理商： IRF6644TRPBF
www.irf.com
5
Fig 13.
Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
Fig 12.
Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
Fig 10.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig11.
Maximum Safe Operating Area
Fig 14.
Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
VGS = 0V
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
EA
ID
TOP
2.8A
3.3A
BOTTOM
6.2A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature ( °C )
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
TG
ID = 1.0A
ID = 1.0mA
ID = 250μA
ID = 150μA
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
0
2
4
6
8
10
12
ID
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00 1000.00
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
100msec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF6645PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET 
IRF6645TR1 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
IRF6645TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 25A 35mOhm 14nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6645TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N MOSFET, 100V, 4.5A, DIRECTFET SJ
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