參數(shù)資料
型號： IRF6635
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： IRF6635
IRF6635
www.irf.com
7
Fig 18.
Diode Reverse Recovery Test Circuit for N-Channel
HEXFET
Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Current
D =
P.W.
Period
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
di/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
-
+
+
+
-
-
-
e
f
d
R
G
V
DD
D.U.T
c
DirectFET
Substrate and PCB Layout, MX Outline
e
(Medium Size Can, X-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
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