參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6633
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： IRF6633
2
www.irf.com
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
20
Typ.
–––
Max. Units
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
16
–––
mV/°C
m
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
4.1
5.6
–––
7.0
9.4
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
1.4
1.8
2.2
V
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
-5.2
–––
mV/°C
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
1.0
μA
–––
–––
150
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
–––
100
nA
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
-100
gfs
Q
g
Forward Transconductance
35
–––
–––
S
Total Gate Charge
–––
11
17
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
3.3
–––
Post-Vth Gate-to-Source Charge
–––
1.2
–––
nC
Gate-to-Drain Charge
–––
4.0
–––
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
–––
2.5
–––
See Fig. 15
–––
5.2
–––
–––
–––
8.8
1.5
–––
–––
nC
Turn-On Delay Time
–––
9.7
–––
Rise Time
–––
31
–––
Turn-Off Delay Time
–––
12
–––
ns
Fall Time
–––
4.3
–––
Input Capacitance
–––
1250
–––
Output Capacitance
–––
630
–––
pF
Reverse Transfer Capacitance
–––
200
–––
Parameter
Continuous Source Current
@T
C
=25°C (Body Diode)
Pulsed Source Current
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
52
I
S
A
I
SM
–––
–––
132
(Body Diode)
V
SD
t
rr
Q
rr
Diode Forward Voltage
–––
0.8
1.0
V
Reverse Recovery Time
–––
18
27
ns
Reverse Recovery Charge
–––
32
48
nC
MOSFET symbol
Clamped Inductive Load
V
DS
= 10V, I
D
= 13A
Conditions
= 1.0MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 13A
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 16A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 13A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
T
J
= 25°C, I
F
= 13A
di/dt = 500A/μs
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
I
D
= 13A
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
T
J
= 25°C, I
S
= 13A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
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