參數(shù)資料
型號： IRF6618PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET㈢Power MOSFET ㈢
中文描述： 的DirectFET功率MOSFET㈢㈢
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 2061K
代理商： IRF6618PBF
8
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.
09/04
EXAMPLE:
ASSEMBLED ON WW 35, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "H"
LOT CODE 5657
WITH ASSEMBLY
THIS IS AN IRFPE30
035H
LOGO
INTERNATIONAL
RECTIFIER
IRFPE30
LOT CODE
ASSEMBLY
56 57
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 35
LINE H
"P" in assembly line
Note:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF6618TRPBF DirectFET㈢Power MOSFET ㈢
IRF6619 DirectFET Power MOSFET
IRF6623 HEXFET Power MOSFET
IRF6628PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6628TRPBF DirectFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF6618TR1 功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6618TR1PBF 功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6618TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6618TRPBF 功能描述:MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6619 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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