參數(shù)資料
型號(hào)： IRF6613
廠商： International Rectifier
英文描述： VCXO TCXO VCTCXO
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 233K
代理商： IRF6613
4
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature (°C)
0
30
60
90
120
150
ID
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.6784 0.00086
17.299 0.57756
17.566 8.94
9.4701 106
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