參數(shù)資料
型號： IRF6602
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRF6602
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating
Area
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
T = 25 C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
1
10
100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0
5
10
15
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VG
VDS= 16V
VDS= 10V
ID= 8.8A
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PDF描述
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